http://museum.tsu.ru/
Расписание ФИТ ТГУРасписание ФИТ ТГУ
Вход    
 + Регистрация
English French German Spain Italian Dutch Russian Portuguese Japanese Korean Arabic Chinese Simplified

Translate

С 1 июня 2019 года старый сайт Факультета инновационных технологии
Национального исследовательского Томского государственного университета (http://tic.tsu.ru) более не поддерживается!


Новый сайт доступен по адресу http://fit.tsu.ru
Сотрудники > Кафедра управления инновациями > Левашкин Андрей Геньевич

Левашкин Андрей Геньевич

Опубликовано 10.01.2013 (3633 прочтений)
Факультет инновационных технологий Национального исследовательского Томского государственного университета


Открыть изображение в новом окне

Левашкин Андрей Геньевич - доцент факультета инновационных технологий Национального исследовательского Томского государственного университета

Ученая степень: кандидат физико-математических наук

Читаемые дисциплины:
«Электротехника и электроника», «Полупроводниковая электроника», «Технология материалов электронной техники», «Безопасность жизнедеятельности».

Область научных интересов:
Физика полупроводников. Исследование и применение полупроводниковых приборов в современной науке и технике. Бесконтактные неразрушающие методы измерения электрофизических характеристик материалов. Взаимодействие электромагнитного излучения с веществом.

Основные научные публикации (монографии, статьи, учебники):
Статьи:
1. Способ измерения распределения СВЧ электрических полей в диэлектрике. (1982г.)
2. Резонатор для измерения удельного сопротивления полупроводниковых образцов. (1982г.)
3. Исследование фотоэлектрических и рекомбинационных характеристик полупроводников бесконтактными методами на СВЧ в диапазоне температур 300 – 80 К. (1982г.)
4. Об измерении удельного сопротивления чистого германия бесконтактным резонаторным методом на СВЧ при наличии на поверхности образцов изгибов зон. (1982г.)
5. Экспрессный СВЧ метод локального измерения диэлектрической проницаемости. (1983г.)
6. О возможности безэталонного измерения электрофизических параметров многослойных полупроводниковых и диэлектрических структур коаксиальными СВЧ датчиками. (1985г.)
7. Сверхвысокочастотный метод неразрушающего контроля электрофизических параметров тонких полупроводниковых и диэлектрических слоев. (1986г.)
8. Расчет коаксиально-волноводного перехода, заполненного многослойной структурой с потерями. (1987г.)
9. Расчет коаксиального СВЧ датчика электрофизических параметров материалов. (1987г.)
10. Влияние дифракции и частичной когерентности лазерного пучка на формирование равномерного пространственного распределения интенсивности с помощью дифракционного оптического элемента. (2011г.)
11. Температурные измерения электромагнитных характеристик композиционных материалов в широком диапазоне частот. (2013г.)
12. Методика измерений слабых магнитных полей промышленной частоты для решения экологических задач. (2013г.)

Авторские свидетельства:
1. Устройство для измерения распределения напряженности электромагнитного поля резонатора. (1979г.)
2. Датчик электрофизических параметров полупроводников и диэлектриков. (1982г.)

Увлечения: рыбалка, спорт (футбол, волейбол).

Контактная информация:
E-mail: levashkin_ag@mail.ru
Рабочий телефон: 52 95 35



 

Навигация по статьям
Зеленцов Александр Викторович Следующая статья
Комментарии принадлежат их авторам. Мы не несем ответственности за их содержание.
Отправитель Нити